【摘 要】
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我们对一系列宽禁带半导体（GaN/Si,GaN/ZnO,AlGaN/Sap,6H-SiC,同质外延4H-SiC和立方3C-SiC/Si）的进行了深紫外拉曼散射光谱的深入研究.我们使用了两套266nm激发系统:三级联复合
【机 构】
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广西大学物理科学与工程技术学院; 中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室; Southern Polytechnic College of Engineering an
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我们对一系列宽禁带半导体（GaN/Si,GaN/ZnO,AlGaN/Sap,6H-SiC,同质外延4H-SiC和立方3C-SiC/Si）的进行了深紫外拉曼散射光谱的深入研究.我们使用了两套266nm激发系统:三级联复合光谱仪（系统A,大连化物所）和微区单通道光谱仪（系统B,广西大学）,均由卓立汉光公司制造.我们已采用系统A对4H810及相似的一组同质外延4H-SiC半导体进行了266,325,360,514nm多光谱激射拉曼的研究[1].图1报道了对同样8片宽禁带半导体的266nm激发的拉曼光谱.可知三级联光谱仪可从200cm-1开始并且线宽更窄,微区单通道光谱仪需从300cm-1开始,线宽相较于系统A更宽,并且300-500cm-1之间存在鼓包（如右图）.系统B相较于系统A,操作便捷,成本低,同时可以较快得到样品测试信息.目前该系统极适合于Si C,AlN,AlGaN等材料的研究.细致的深紫外拉曼光谱和谱形分析及与可见光谱之比较亦给出.
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