蒙特卡罗数值模拟在MeV级网栅设计中的应用

来源 :中国物理学会2013年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bluecluse
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本文利用三场磁流体力学(MHD)模型数值模拟了旋转等离子体中离子抗磁漂移对 1q=高阶模的影响。发现在离子抗磁漂移速度很小时其对于撕裂摸具有致稳作用,而当离子抗磁漂移速度很大时又可以激发高模数的开尔文亥姆霍兹(KH)不稳定性。
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