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该文通过计算机多次求解n元一次克希霍夫电路方程组，分析有封装的微波砷化镓场效应晶体管的噪声系数与其等效电路元件参量的关系，并优化信号源内阻抗以获得最小的噪声系数。该文未对电路作任何简化，计算结果精确，与实验值相符甚好。（本刊录）
微波低噪声场效应晶体管噪声系数的分析与优化
【摘 要】
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该文通过计算机多次求解n元一次克希霍夫电路方程组，分析有封装的微波砷化镓场效应晶体管的噪声系数与其等效电路元件参量的关系，并优化信号源内阻抗以获得最小的噪声系数。该
【机 构】
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解放军通信工程学院
【出 处】
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全国首届MIC CAD及MIC工艺学术会
【发表日期】
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1986年期
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