钇掺杂对钨酸铅晶体闪烁性能的影响

来源 :2006全国光电子与光电信息技术学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fsdgvii
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本文较系统的研究了Y掺杂对PWO晶体闪烁性能的影响。采用提拉方法生长掺杂的PWO晶体,掺杂离子Y3+以氧化物Y2O3的形式加入熔体.掺杂离子对晶体吸收边位置和420nm处吸收产生了影响,Y掺杂能够抑制该波段的吸收。X射线激发发光谱显示,Y掺杂使晶体蓝发光成份增加、绿发光成份减弱。与X射线激发发光谱相对应,Y掺杂使晶体发光衰减时间缩短。
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