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ZnO薄膜中本征点缺陷Vo、VZn及复合点缺陷GaZn-VZn的研究
ZnO薄膜中本征点缺陷Vo、VZn及复合点缺陷GaZn-VZn的研究
来源 :第十五届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shunbe123
【摘 要】
:
作为一种性能优越的宽禁带氧化物半导体材料,ZnO在紫外发光器件、透明导电电极、柔性电子学器件等领域具有广阔的技术应用前景,但是p型掺杂和n型重掺杂自补偿以及器件稳
【作 者】
:
梅增霞
刘利书
汤爱华
梁会力
杜小龙
Andrej Kuznetsov
薛其坤
【机 构】
:
中国科学院物理研究所清洁能源前沿研究重点实验室挪威奥斯陆大学物理系清华大学物理系
【出 处】
:
第十五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
:
2016年12期
【关键词】
:
氧化锌
点缺陷
自补偿
同位素异质结
自扩散
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作为一种性能优越的宽禁带氧化物半导体材料,ZnO在紫外发光器件、透明导电电极、柔性电子学器件等领域具有广阔的技术应用前景,但是p型掺杂和n型重掺杂自补偿以及器件稳定性等未解难题严重阻碍了该材料的进一步发展。
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