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用GaAs光电导开关在飞秒激光激励下作为太赫兹辐射天线，已经广泛用于太赫兹时域光谱系统，但目前国际上都是使用GaAs光电导开关的线性工作模式，而GaAs光电导开关的雪崩倍增工作模式所输出的超快电脉冲功率容量远大于其线性工作模式，迄今为止，还没有人提出用雪崩倍增机制的GaAs光电导开关作为辐射源产生THz电磁辐射。本文报道了用GaAs光电导开关的雪崩倍增工作模式作为光电导天线产生THz电磁波的可能性及研究进展。通过理论分析及实验研究，在实验上实现了：(1)利用nJ量级飞秒激光触发GaAs光电导天线，可以进入雪崩倍增工作模式；(2)利用光激发电荷畴的猝灭模式，可以使GaAs光电导天线载流子雪崩倍增模式的延续时间(Lock-on时间)变短。为利用具有雪崩倍增机制的GaAs光电导天线产生强THz辐射奠定了基础。