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深能级的存在是引起ZnSe中自补偿效应的主要原因。深能级还可引起非辐射复合或长波光辐射，有损于材料的兰色发光。该文主要介绍了用国产末掺杂的ZnSe进行了光电容测量情况。样品系由长春物理所用汽相升华法生长的n型ZnSe。测量方法是在77K低温下将样品置于零偏足够长时间，以使深能级被电子填满，然后将样品换置于反偏。实验结果，入射光子能量在0．57～0．61ev范围内，观测到△C（t）为单指数型。在0．67＜hv＜1．0ev范围内，△C（t）曲线可拟合为两个指数型瞬态过程之和。该实验为一步通过有意掺杂等手段来进行对各级本质的辨认提供了一些线索。（韩理洁摘）