粗糙Ag岛膜增强氮化硅基器件的电致发光抽取效率

来源 :2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:killeverrui
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本文制备了一种基于ITO/Ag/SiNxIp+-Si/Al结构的氮化硅(SiNx)基发光设备(LEDS,light emitting devices)以期增强SiNx薄膜电致发光。与没有加Ag岛膜的参比器件相比,加入Ag岛膜的器件在相同电流下电致发光强度得到了显著增强,其外量子效率也提升了近一个数量级。通过比较上述两种器件载流子输运机制,发光强度以及表面形貌的变化,我们认为其EL的增强来自于载流子注入效率,SiNx中激子的辐射复合效率以及光抽取效率的提高。
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