【摘 要】
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为了提升热阴极的发射性能以满足太赫兹器件的需求,中科院电子所开展了太赫兹器件新型浸渍扩散阴极的研究.本文主要介绍新浸渍扩散阴极的发射性能,阴极最表面俄歇成分分析的结果,以及实用太赫兹阴极的制备及应用情况.在1100℃B,新阴极的脉冲发射电流密度为171.6±2.8A/cm2,直流发射电流密度为30.6±1.0A/cm2,达到传统M型阴极的2.1倍和5.4倍.阴极激活后,其最表面分布着由Ba、Sc、
【机 构】
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中国科学院电子学研究所 中国科学院高功率微波源与技术重点实验室 北京100190 中国科学院电子学
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会
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为了提升热阴极的发射性能以满足太赫兹器件的需求,中科院电子所开展了太赫兹器件新型浸渍扩散阴极的研究.本文主要介绍新浸渍扩散阴极的发射性能,阴极最表面俄歇成分分析的结果,以及实用太赫兹阴极的制备及应用情况.在1100℃B,新阴极的脉冲发射电流密度为171.6±2.8A/cm2,直流发射电流密度为30.6±1.0A/cm2,达到传统M型阴极的2.1倍和5.4倍.阴极激活后,其最表面分布着由Ba、Sc、Ca、Al和0原子组成的原子层.新制备的微带状注阴极已应用于某太赫兹器件.
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