晶体硅太阳电池组件的表面阴影及单体电池功率不匹配等因素是导致输出功率降低的主要原因之一。研究这些因素的影响不仅对制造晶体硅太阳电池组件有指导作用,而且也有利于人们正确判断光伏发电系统输出降低或失效的原因。在通过模型理论推导的基础上,本文设计遮挡实验对太阳电池组件进行实际测试,在有无二极管情况下,分别比较与分析单片太阳电池小比例(1％～10％)、大比例(10％～100％)及多片电池阴影遮挡的太阳电池组件输出的Ⅳ伏安特性以及PV(功率与电压)曲线。结果表明,有无二极管情况下,组件单片电池被遮挡1％～10％,对整个组件与系统输出功率影响不大,最大功率Pmax下降比例均不超过2％,同一串电池片之间可以允许存在小的功率差异或表面辐照强度差异(＜5％)。同组件多个电池遮挡实验显示,电池出现热斑效应时会被反向击穿,击穿电压在15V左右,因此,组件中应对少于15/0.6=25片串联电池并联一个旁通二极管,否则使用中会出现热斑损坏组件现象。