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本文对基于GaN材料的对金属-半导体-金属(MSM)光探测器机制进行了分析与模拟,分别对一维和二维理论情况进行了讨论,得到了与物理机制相符合的模拟曲线和结果,并结合模拟结果对MSM光探测器的光电流特性进行了分析。全部模拟工作都是基于器件模拟软件ISE完成的,这对于未来优化设计探测器的性能和结构有很大的意义。