【摘 要】
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SrTiO3是一个理想的介电材料,介电常数高,可以在门电压的调控下实现对电荷密度的调节。例如对于拓扑绝缘体材料,借助于SrTiO3介电层可以更好地研究表面态狄拉克点附近的特性(1),以及在氧化物中,由于强关联作用会导致电子能级退简并,因此可以通过SrTiO3介电层改变电子的填充形式,产生新的有序度,从而诱导出更新奇的物理性质。相对与SrTiO3块材,SrTiO3薄膜具有更高的质量以及更小的门电压。
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SrTiO3是一个理想的介电材料,介电常数高,可以在门电压的调控下实现对电荷密度的调节。例如对于拓扑绝缘体材料,借助于SrTiO3介电层可以更好地研究表面态狄拉克点附近的特性(1),以及在氧化物中,由于强关联作用会导致电子能级退简并,因此可以通过SrTiO3介电层改变电子的填充形式,产生新的有序度,从而诱导出更新奇的物理性质。相对与SrTiO3块材,SrTiO3薄膜具有更高的质量以及更小的门电压。本实验在臭氧的氛围下利用脉冲激光沉积法(PLD)在掺铌SrTiO3(001)衬底上同质外延SrTiO3薄膜,并且结合反射式高能电子衍射(RHEED),精确调控衬底温度、氧压、沉积速率等参数,实现Layer-By-Layer二维层状生长,得到高质量的SrTiO3(001)薄膜。然后,通过测试薄膜的电流密度-电场(J-E)、电容-电压(C-V)规律对其介电性质进行表征。实验表明,在低温下薄膜的载流子浓度调节范围可达1014 cm-2的量级,且具有较大的开启电压。
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