【摘 要】
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采用固相反应法合成了InBO:Re(Re=Eu,Tb,Ce)研究了InBO基质中稀土离子的光谱特性,观察到电荷迁移带位于255nm附近,Eu离子在InBO中产生极强的Do→F的跃迁表明Eu离子在该基质中占据对称性格位.Tb的4f-5d允许跃迁位于240nm附近,而4f-5d禁戒跃迁位于267nm附近,Tb离子呈现出极强的D→F发射.Ce离子在InBO中不发光.
【机 构】
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中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理开放实验室(长春) 华中理工大学(武汉)
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
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采用固相反应法合成了InBO<,3>:Re(Re=Eu,Tb,Ce)研究了InBO<,3>基质中稀土离子的光谱特性,观察到电荷迁移带位于255nm附近,Eu<3+>离子在InBO<,3>中产生极强的<5>Do→<7>F<,1>的跃迁表明Eu<3+>离子在该基质中占据对称性格位.Tb<3+>的4f-5d允许跃迁位于240nm附近,而4f-5d禁戒跃迁位于267nm附近,Tb<3+>离子呈现出极强的<5>D<,4>→<7>F<,5>发射.Ce<3+>离子在InBO<,3>中不发光.
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