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方钴矿结构是一类具有笼状晶体结构的材料，近年来在该类材料中发现的重费米子超导电性、激子诱导的超导电性和Weyl费米子等新奇现象使这类材料广受关注。这次报告将介绍我们使用第一性原理方法在铋基方钴矿结构中发现的一种新的拓扑绝缘体。在这种拓扑绝缘体中，拓扑反带过程涉及到的轨道为d轨道和p轨道。这不同于通常拓扑绝缘体中的反带情形，例如Bi2Se3和BiTeI等材料中的拓扑反带过程仅涉及p轨道。由于存在较大比例的d电子成分，这一拓扑绝缘体中的电子相互作用比通常的拓扑绝缘体中的更强。这为研究相互作用对拓扑性质的影响提供了实际材料。我们通过结合能计算、声子谱分析和分子动力学模拟的方式对这一新材料的稳定性进行了验证。这一新材料可提供无阻电流，有望应用在自旋电子学器件上。