【摘 要】
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本文对丝状材料中的巨磁阻抗效应进行了数值分析,计算了丝材料半径、饱和磁化强度和电阻率对磁导率和GMI效应的影响.计算结果显示,磁导率随频率的变化趋势基本与实验相符,实
【机 构】
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山东大学物理与微电子学院国家晶体材料重点实验室(济南)
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本文对丝状材料中的巨磁阻抗效应进行了数值分析,计算了丝材料半径、饱和磁化强度和电阻率对磁导率和GMI效应的影响.计算结果显示,磁导率随频率的变化趋势基本与实验相符,实部单调下降,而虚部出现峰值,且两者交于峰值附近.饱和磁化强度M<,s>的增加使得磁导率增加,从而导致GMI效应的增强.而丝半径的增大和电阻率的降低则通过增强材料的趋肤效应而使得GMI增加.
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