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Si 衬底上GaN 基电子材料和器件是目前国际上氮化物半导体领域的研究前沿，受到学术界和产业界的高度重视。由于GaN 和Si 衬底之间存在着巨大晶格失配和热失配，由此导致的高密度缺陷和残余应力严重影响器件性能，成为制约该领域发展的关键瓶颈。
Si基GaN材料MOCVD外延生长及其光电性质
【摘 要】
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Si 衬底上GaN 基电子材料和器件是目前国际上氮化物半导体领域的研究前沿，受到学术界和产业界的高度重视。由于GaN 和Si 衬底之间存在着巨大晶格失配和热失配，由此导致的高密度缺陷和残余应力严重影响器件性能，成为制约该领域发展的关键瓶颈。
【机 构】
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北京大学物理学院
【出 处】
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2021光电子材料与器件发展论坛
【发表日期】
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2021年10期
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