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室温下采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备Mg0.05Zn0.95O薄膜,在500℃空气中退火1h后利用直流磁控溅射技术在Mg0.05Zn0.95O薄膜表面制备Al叉指电极,从而制备出金属-半导体-金属(MSM)结构的光电导型紫外探测器。经验证表明,在5V偏压下,器件的暗电流为290nA,峰值响应度为0.14A/W(355nm)。其紫外光(355nm)与可见光(450nm)的抑制比高于2个数量级。并且制备的Mg0.05Zn0.95O薄膜能够很好地吸收紫外光,并且相当于ZnO薄膜,它的吸收边有轻微的蓝移。