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多晶硅经真空定向凝固后通常含有Fe 杂质，且电阻率分布很不均匀。研究Fe 杂质在硅锭中的赋存形态和分布情况，以及其对电阻率的影响，对提高真空定向凝固多晶硅的电学性能具有非常重要的意义。本文采用真空定向凝固法制备多晶硅锭，结合相图，分析了Fe 在冶金法多晶硅中的赋存形态；通过Fe 与少子寿命之间的关系式，利用MWPCD 对冶金法多晶硅锭的少子寿命分布情况进行了测试以表征Fe 浓度含量；通过对电阻率分布的测试，发现Fe 杂质在铸锭中不同位置的沉淀相与电阻率分布曲线波动相吻合；最后通过计算得出了冶金法多晶硅中电阻率与Fe杂质浓度间的关系式，并提出了提高电阻率均匀性的措施。