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SOI(Silicon on Insulater)材料近年来的在国内外得到广泛的研究,SOI-CMOS电路离实际应用已为期不远,作者利用离子注入制备出SOI-SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)薄膜材料,并用背散射(RBS),扩展电阻(SR)和红外吸收(IR)等,对SIMOX薄膜进行了测试。