【摘 要】
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本文在1.5μm埋氧层、3.μm顶层硅的SOI材料上研制了漂移区为均匀掺杂、一阶阶梯掺杂和二阶阶梯掺杂的LDMOS.实验结果表明:在漂移区长度为20μm时,采用二阶掺杂漂移区可以实现击穿电压和导通电阻的良好折衷.和相同结构的均匀掺杂漂移区相比,击穿电压可由160V提高到250V,提高幅度为36﹪,而导通电阻则由1.9Ωmm2降低到1.6Ωmm2,降低幅度为16﹪.
【机 构】
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南京邮电大学光电工程学院,210003 电子科技大学IC设计中心,610054
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
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本文在1.5μm埋氧层、3.μm顶层硅的SOI材料上研制了漂移区为均匀掺杂、一阶阶梯掺杂和二阶阶梯掺杂的LDMOS.实验结果表明:在漂移区长度为20μm时,采用二阶掺杂漂移区可以实现击穿电压和导通电阻的良好折衷.和相同结构的均匀掺杂漂移区相比,击穿电压可由160V提高到250V,提高幅度为36﹪,而导通电阻则由1.9Ωmm2降低到1.6Ωmm2,降低幅度为16﹪.
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