【摘 要】
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Cu2ZnSnS4的禁带宽度为1.51eV,与半导体太阳能电池所要求的最佳禁带宽度(1.5eV)十分接近；Cu2ZnSnS4 为直接带隙的半导体材料,且具有较大的吸收系数(大于104cm-1),该材料中
【机 构】
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河南大学特种功能材料重点实验室,开封
【出 处】
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第十四届全国太阳能光化学与光催化学术会议
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Cu2ZnSnS4的禁带宽度为1.51eV,与半导体太阳能电池所要求的最佳禁带宽度(1.5eV)十分接近；Cu2ZnSnS4 为直接带隙的半导体材料,且具有较大的吸收系数(大于104cm-1),该材料中的各元素在地壳上蕴含量丰富,还因成分无毒和环境友好,而成为太阳能电池吸收层的最佳候选材料之一.在此,我们根据CZTS 中各元素的Ksp 值的不同在ZnO 纳米棒上依次引入各元素,用了一种全新的方法直接得到ZnO/Cu2ZnSnS4 P-N 结结构.此法有很多优点：ZnO 阵列的形貌易于控制,ZnO与Cu2ZnSnS4 的结合充分、表面积大,实验设备简单、成本低,为得到CZTS 太阳能电池提供了一条全新的路线.
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