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操纵畴壁运动由于其对于下一代逻辑和赛道存储(racetrack memory)自旋电子学器件[1]的研制具有重要意义,近年来引起了人们的广泛关注。前人工作证实可以通过在纳米线上刻出凹槽或者凸起来钉扎畴壁[2,3]。本实验中我们通过静磁和输运两种测量方式,有效的操纵了不同尺寸磁纳米线中畴壁的运动。