【摘 要】
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本文针对甜叶菊种子发芽率低(25%以下)的问题,用20 keV N+离子束处理甜叶菊种子,4个剂量辐照研究不同注量下甜叶菊种子发芽势以及发芽率的变化情况,并分析各处理组间差异
【机 构】
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安徽大学生命科学学院,合吧,230039
【出 处】
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第九届全国辐射与环境生物物理学术交流会
论文部分内容阅读
本文针对甜叶菊种子发芽率低(25%以下)的问题,用20 keV N+离子束处理甜叶菊种子,4个剂量辐照研究不同注量下甜叶菊种子发芽势以及发芽率的变化情况,并分析各处理组间差异.经统计分析,不同注量的甜叶菊种子发芽势和发芽率在α=0.05水平上差异显著.结果表明,离子束辐照甜叶菊干种子可影响当代的发芽势和发芽率,随注量增大,发芽势和发芽率均呈先升后降趋势；这种变化可能与离子束对甜叶菊种子表面的溅射刻蚀作用有关,在离子刻蚀作用下种子表面的通透性改变,萌发过程中吸水透气性变强,提高了种子的发芽势和发芽率,随着注量增加,这种过程加剧离子束的种子的损伤作用增加,造成了种子的发芽势和发芽率下降.
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