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高速硅基探测器是硅基光互联中重要的组成部分，而锗探测器具有与硅基CMOS 工艺兼容、响应覆盖通信波段、良好电学性能等优势，是目前制备硅基集成光电探测器的重要方案之一。我们利用分子束外延生长了高质量Ge 薄膜，制备了硅基集成锗PIN 探测器，测试到了器件的Ⅳ 曲线和光响应特性。
MBE制备硅基集成锗PIN探测器
【摘 要】
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高速硅基探测器是硅基光互联中重要的组成部分，而锗探测器具有与硅基CMOS 工艺兼容、响应覆盖通信波段、良好电学性能等优势，是目前制备硅基集成光电探测器的重要方案之一
【机 构】
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武汉光电国家实验室,华中科技大学,武汉
【出 处】
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第十二届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2017年期
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