【摘 要】
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BeZnO合金具有宽的带隙调节范围(理论上可从3.37eV连续过渡到10.6eV),被认为是制作光电器件的重要新型半导体材料之一.我们报道了采用等离子体辅助生长高质量的ZnO和BeO
【机 构】
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中山大学,物理科学与技术学院,光电材料国家重点实验室,中国广州510275中山大学,物理科学与技术学院,光电材料国家重点实验室,中国广州510275;香港科技大学,物理系,中国香港
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BeZnO合金具有宽的带隙调节范围(理论上可从3.37eV连续过渡到10.6eV),被认为是制作光电器件的重要新型半导体材料之一.我们报道了采用等离子体辅助生长高质量的ZnO和BeO单晶薄膜,在此基础上我们得到了BeZnO合金.我们发现合金中Be组分小于15％时,合金保持单晶状态,而在高Be组分中(如50％),合金发生了分相.通过给15％Be组分的BeZnO合金进行变温光致荧光和Hall测试,我们发现Be的引入使薄膜激子特性发生变化,同时,背景载流子浓度降低.XPS测试显示随着薄膜中Be组分增加,O浓度也跟着增加.我们猜想Be的引入使体系氧空位缺陷的形成能提高.最后,我们比较了BeZnO掺N和ZnO掺N,讨论了Be的引入对ZnO掺N和ZnO P型导电的影响.
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