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基于wxAMPS的单结非晶硅锗太阳电池模拟分析
基于wxAMPS的单结非晶硅锗太阳电池模拟分析
来源 :第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yuyuan0127
【摘 要】
:
采用wxAMPS数值模拟软件,深入分析了p/i及i/n界面非晶硅缓冲层对单结非晶硅锗太阳电池性能的影响,并结合实验获得了最佳的p/i及i/n界面缓冲层厚度分别为4nm和8nm,带隙为1.7eV
【作 者】
:
胡瑞丹
赵雷
王光红
王革
刁宏伟
王文静
【机 构】
:
中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室,中国科学院电工研究所,北京100190
【出 处】
:
第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会
【发表日期】
:
2014年11期
【关键词】
:
单结非晶硅锗太阳电池
界面缓冲层
制备工艺
性能参数
数值模拟软件
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采用wxAMPS数值模拟软件,深入分析了p/i及i/n界面非晶硅缓冲层对单结非晶硅锗太阳电池性能的影响,并结合实验获得了最佳的p/i及i/n界面缓冲层厚度分别为4nm和8nm,带隙为1.7eV.利用上述优化结果最终制备出了效率达7.16%的单结非晶硅锗太阳电池.
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