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In组分为17％的InAlN/GaN HEMT晶格匹配，自发极化较强，非常适于高频毫米波功率器件的制备，是近几年的国际研究热点之一。本文对InAlN/AlN/GaN HEMT结构进行理论分析，在材料生长、测试分析、器件研制等方面开展了一系列研究工作。
基于InAlN的HEMT材料和器件研究
【摘 要】
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In组分为17％的InAlN/GaN HEMT晶格匹配，自发极化较强，非常适于高频毫米波功率器件的制备，是近几年的国际研究热点之一。本文对InAlN/AlN/GaN HEMT结构进行理论分析，在材料生长、测试分析、器件研制等方面开展了一系列研究工作。
【作 者】
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【机 构】
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中国科学院半导体所材料科学重点实验室,北京 100083 Key Lab of Semicondu
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2012年11期
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