【摘 要】
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我们成功开发了钙钛矿薄膜的低压化学气相沉积(LPCVD)制备方法.在低压条件下,通过温和的气相-固相(G-S)反应,有效解决了无机薄膜PbI2与有机基团CH3N3I之间超快插层反应速率问题,避免薄膜出现粗糙、多孔及不完全覆盖等缺陷,进而制备出薄膜质量高、衬底覆盖性佳、稳定性及重复性好的钙钛矿薄膜.分析研究表明,该薄膜具有极好的结晶性能、较高的光吸收系数及较长的载流子扩散长度;更为重要的是,LPCV
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我们成功开发了钙钛矿薄膜的低压化学气相沉积(LPCVD)制备方法.在低压条件下,通过温和的气相-固相(G-S)反应,有效解决了无机薄膜PbI2与有机基团CH3N3I之间超快插层反应速率问题,避免薄膜出现粗糙、多孔及不完全覆盖等缺陷,进而制备出薄膜质量高、衬底覆盖性佳、稳定性及重复性好的钙钛矿薄膜.分析研究表明,该薄膜具有极好的结晶性能、较高的光吸收系数及较长的载流子扩散长度;更为重要的是,LPCVD方法制备出的钙钛矿薄膜非常稳定,在高温(145℃)、高湿度(61％)下退火,最佳光电转换效率达到12.73％.同时,CVD法无需繁琐手套箱操作,也不需要昂贵真空设备,具有操作简单、可大面积放大等优点,将成为高质量钙钛矿电池材料制备中的一种重要手段.
其他文献
近年来,钙钛矿太阳能电池成为下一代光伏技术中最为闪耀的明星,基于低温溶液处理的平面异质结钙钛矿太阳能电池因为其易于制备且能耗低等优势备受研究者青睐.我们以低温旋涂的SnO2层作为基于CH3NH3Pb13平面异质结钙钛矿太阳能电池的电子选择接触,并且采用一种改进的连续沉积方法,以一种等效于溶剂蒸气退火(SVA)的过程来控制Pb12前驱体的晶粒尺寸从而在SnO2上制得CH3NH3Pb13.我们发现,伴
Organic-inorganic halide perovskites possess excellent chemical, optical, and electronic properties that make them attractive for next-generation solar cells.In this paper,we introduce all-low-tempera
TiO2纳米管具有大的比表面积,其一维电子传输特性为电荷快速迁移提供了直接通道,使得载流子传导性能增强,在光伏电池方面有着广阔的应用前景.我们采用各向异性刻蚀机制制备了新型TiO2楔形方管,楔形结构对于梯度捕获或减慢太阳光形成"捕获的彩虹"和组装"彩虹太阳能电池"具有重要意义.
The development of organic-inorganic halide perovskite solar cells (PSCs) has been very fast,recently.PSCs display diversified device architectures and anomalous current-voltage hysteresis.These featu
Perovskite solar cells (PSCs) is of particular interest because it can offer a number of advantages when compared to existing photovoltaic technologies.Searching for low cost, suitable alternatives to
铅卤钙钛矿的单晶是研究其物理化学性质的有力载体,传统的溶液浓缩单晶生长工艺往往较为繁琐,在此我们报道了一种通过加热等化学计量比PbBr2和[(1-y)CH3NH3Br+yCH3NH3 Cl]的DMF前驱体溶液来生长CH3NH3Pb(Br1-xCh)3单晶的策略,该生长方式过程易于控制,条件温和,进一步的研究表明,Cl含量的增加使得CH3NH3Pb(Br1-xCh)3的带隙增加同时晶胞减小,另外有趣
同传统太阳电池相比,钙钛矿太阳电池具有转换效率高、可溶液加工等优点,近几年来受到了科研人员的广泛关注,并取得了突破性的进展.在钙钛矿太阳电池中,各个结构层的性能直接影响着器件的最终光电转换效率.其中,致密的二氧化钛层通常被用作空穴阻挡层.我们通过研究发现:对二氧化钛致密层进行铌掺杂可显著提高电池光电性能,光电转换效率可达10.26％.而在同等条件下采用二氧化钛致密层制备的电池光电转换效率为9.22
有机铅卤CH3NH3PbX3 (X=I,Br, I3-xClx,I3-yBry)钙钛矿太阳能电池显示出了优异的光电转换性能,目前i获得20.1％的认证光电转换效率[1],应用前景广阔.钙钛矿太阳能电池厚度与光生载流子扩散长度较为接近[2-4],光生空穴传输至FTO导电基底的几率较大,易造成电池的局部漏电及短路.因此,为促进光生电子快速有效传输至FTO导电基底、防止电池短路,高性能的阻挡层至关重要.
过去几年来钙钛矿太阳能电池研究取得了突破性进展,光电转换效率从3.8％提高到20％以上[1,2],展现出巨大的应用前景.如何制备出高质量的钙钛矿活性层薄膜以及对界面性能的有效调控是制备高效率钙钛矿太阳能电池的关键因素.为了匹配卷对卷印刷制备钙钛矿太阳能电池的工艺,我们在这个报告中聚焦低温溶液法制备平面异质结钙钛矿太阳能电池.(1)通过溶剂诱导、制备工艺参数等方法调控钙钛矿活性层薄膜形貌结构和界面性
Carrier (electron and hole) transport layers are important components in organic/inorganic optoelectronics such as organic solar cells (OSCs), perovskite solar cells,dye sensitized solar cells, organi