【摘 要】
：
本文通过对850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器结构优化以及制作工艺的研究,研制出了满足实用要求的高性能的氧化限制型850nm VCSELs.激光器25℃的阈值电流为1.2mA,斜效率为0.58mW/mA,微分串联电阻为35Ω,激光器的光电参数具有良好的均匀性,有良好的温度特性,能满足1.25Gbit/s高速率光纤数据通信.
【机 构】
：
武汉电信器件公司芯片部(湖北武汉) 武汉大学物理系(湖北武汉)
【出 处】
：
全国第十一次光纤通信暨十二届集成光学学术会议(OFCIO2003)
论文部分内容阅读
本文通过对850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器结构优化以及制作工艺的研究,研制出了满足实用要求的高性能的氧化限制型850nm VCSELs.激光器25℃的阈值电流为1.2mA,斜效率为0.58mW/mA,微分串联电阻为35Ω,激光器的光电参数具有良好的均匀性,有良好的温度特性,能满足1.25Gbit/s高速率光纤数据通信.
其他文献
由光学球微腔与光纤耦合而成的喇曼激光器大大减少了必需的阈值泵浦功率,明显提高了总体效率.本文从泵浦信号和喇曼信号的速率方程出发,推导出微球喇曼激光器的阈值公式,并讨论和分析微球喇曼激光器的微球腔与熔锥光纤的耦合特性及耦合对激光器阈值的影响,并提出了提高该激光器的耦合效率的设想.
本文提出了一种新的光控光交换结构.这种结构采用光控光开关作为基本交换单元,结合多波长光标记交换技术,可以完全在光域完成对多波长标记的光分组交换信头信息的提取和判别,并实现光波对光开关矩阵的直接控制,从而实现一种光控光交换.因为省去了在一般的光交换中控制信号必须经过的光—电转换过程,提高了交换节点的处理速度.
报道了一种新的Er、Yb共掺锗酸盐玻璃陶瓷上转换发光材料,系统为GeO-PbF-NbO,研究了Er、Yb共掺玻璃陶瓷的发光特性.通过X射线衍射分析了锗酸盐玻璃陶瓷的结构性质,在980nm半导体激光激励时,绿色荧光发射强度表明,铌酸盐的成份存在,对上转换发光强度起着重要的作用.
报告分析了高速激光器组件中可能出现的3种P-I曲线扭折;指出了激光器组件在驱动电流20-40mA、光功率0.3mW范围内实际观测到的多个小时P-I曲线扭折,为组件中光学元件表面(或界面)或光纤端面光反射所致.
本文考虑有反射回来泵浦光功率的激光器的一阶Stokes效应,导出输出Stokes光功率和剩余泵浦光功率的解析解,大大简化了激光器内部的微分方程求解过程.数值计算表明,当给定激光器的一些参数时,可以得到光纤的优化长度、最大输出Stokes功率等.
本文报道了采用AlGaInAs/InP材料体系制作10Gbit/s直接调制应变多量子阱DFB激光器.采用的是沟道聚酰亚胺填充倒台脊形波导结构,该激光器在室温下(25℃)阈值电流为8mA,斜率效率达到40﹪以上,边模抑制比大于35dB,截止带宽(3dB)大于10GHz,并可在-10℃-85℃工作.
超辐射发光二极管(SLED)具有光谱宽、输出功率高、可靠性及稳定性好等特点,作为光纤陀螺及光纤传感系统中最为理想的光源,SLED得到了广泛应用.本文从器件设计及制作的角度,对SLED的结构设计、制作中的关键控制技术等方面进行了阐述.
本文较为详细的介绍了10GPIN/TIA光接收组件的主要技术难点和关键的分析设计方法;同时介绍了武汉电信器件公司在这方面所做的工作以及目前所能达到的技术水平.
本文介绍了一种单光纤三端口的光电收发模块的工作原理、产品制作规格参数及测试试验结果,该产品已达到国外同类产品规格标准,作为光纤到家的器件,会有很好的应用前景.
通过采用湿法腐蚀、聚合物平坦和lift off等技术,我们成功制作出高速率1.3μm倒台形脊波导结构的无致冷AlGaInAs/InP直接调制FP激光器.对制作出的器件进行了包括高频测试的测量.结果显示器件的I为12mA,电阻为6Ω,外微分量子效率η为0.49mW/mA,小信号高频响应的3dB带宽大于10Gbit/s.