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本文采用分子动力学方法模拟了不同入射角度对F原子与SiC表面相互作用的影响,本次模拟选择的入射能量为10eV,入射角度分别为15°、30°、45°、60°和75°。模拟结果发现F原子的沉积率随入射角度的增加而减小。当入射角度为45°时,Si原子和C原子的刻蚀率最大,并且Si原子的刻蚀率大于C原子的刻蚀率。作用过程中在SiC表面形成一层Si-C-F反应层,反应层厚度随入射角度增加而减小。