【摘 要】
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磁控溅射法在Si/SiO2基片上制备了一系列超薄Co/Pt垂直多层膜。多层膜结构中厚度为47(A)Pt底层作为种子层以诱生织构产生垂直磁各向异性,厚度为22 (A)的Pt表面层用于防止
【机 构】
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华侨大学信息科学与工程学院,厦门,361021
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磁控溅射法在Si/SiO2基片上制备了一系列超薄Co/Pt垂直多层膜。多层膜结构中厚度为47(A)Pt底层作为种子层以诱生<111>织构产生垂直磁各向异性,厚度为22 (A)的Pt表面层用于防止氧化。表面磁光克尔效应(MOKE)和异常磁电霍尔效应(EHE)测量表明制备的Co/P1多层膜具有良好的垂直磁特性。将多层膜加工成10×10μ m2磋电霍尔器件并用30kV的Ga+聚焦离子束对器件中心区域进行轰击。异常磁电霍尔效应测量表明多层膜器件轰击前后具有相当不同的磁反转特性。随轰击剂量的增加,Co/Pt多层膜的磁化反转成核场明显减小,高剂量轰击时面内磁化分量出现。
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