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通过理论分析,推导出掺杂计算公式,用于N型Si复拉料拉制P型单晶硅补偿掺杂计算.在生产中得到成功应用,拉制的P型单晶硅电阻率控制在0.5～3.0(ohm.cm),制做的太阳电池片光电转换效率平均达到13.18℅.
利用N型硅复拉料拉制太阳电池用P型单晶硅
【摘 要】
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通过理论分析,推导出掺杂计算公式,用于N型Si复拉料拉制P型单晶硅补偿掺杂计算.在生产中得到成功应用,拉制的P型单晶硅电阻率控制在0.5～3.0(ohm.cm),制做的太阳电池片光电转换
【机 构】
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云南半导体器件厂(昆明)
【出 处】
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中国第六届光伏会议
【发表日期】
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2000年10期
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