近年来导电高分子材料中电荷传导机理吸引了大量物理和化学研究工作者.载流子的迁移率(μ)是表征电荷传导机理的一种有效的物理量。目前测定导电高分子薄膜中载流子μ的方法主要有场效应法、飞行时间法和霍尔效应法。然而前两者主要用于测定无掺杂或低掺杂薄膜,较难应用于高掺杂膜的测定；而霍尔效应法则主要用于高掺杂膜的测定,而很难用于导电率很低的样品测定.缺少一种可以在很宽掺杂范围内测定载流子迁移率的方法.近年来我们创造了一种可以在较宽掺杂范围内测定载流子迁移率的电化学新方法。该方法结合原位电导测定和记时电量法,可以方便地测定不同掺杂电位下膜中载流子的表观迁移率,进一步采用原位电子光谱、原位电子自旋共振光谱技术判断并估测在不同掺杂程度下膜中载流子的形态及数量,从而建立起了一种研究导电高分子材料中电荷传导机理的新方法。