【摘 要】
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单壁碳纳米管(SWCNT)因直径和螺旋角不同可表现为金属性(m-)或半导体性(s-)。其中,s-SWCNT可用作场效应晶体管的沟道材料,而m-SWCNT可作为器件中的互联导线、电极或构建
【机 构】
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中国科学院金属研究所,沈阳市文化路72号,110016
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单壁碳纳米管(SWCNT)因直径和螺旋角不同可表现为金属性(m-)或半导体性(s-)。其中,s-SWCNT可用作场效应晶体管的沟道材料,而m-SWCNT可作为器件中的互联导线、电极或构建透明导电薄膜。因为通常制备得到的SWCNT样品是金属性和半导体性碳纳米管的混合物,为构建性能优异(载流子迁移率高、电流承载能力强、稳定性好)且均一性好的电子器件,亟需实现单一导电属性SWCNT的控制制备。一般说来,有两种方法生长单一结构和导电属性的SWCNT,即选择性刻蚀和直接生长。本报告将介绍以氢气或氧气为刻蚀剂,采用浮动催化剂化学气相沉积法宏量制备半导体性和金属性SWCNT[1-2]；以及通过催化剂调控选择性生长SWCNT的研究进展。
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