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该文报道了分子束外延(MBE)HgCdTe薄膜材料的电学性能的最新结果，从材料电学性能的均匀性、时间稳定性及热处理的可调性的角度分析了MBE技术的制备红外焦平面列阵器件(IRFPAs)上所具有的独特优势和潜力。分析表明：P型热处理MBE-HgCdTe材料纵向电学性质均匀且不随时间推移而变化，这些品质是制备红外焦平面列阵器件必须的。