Prediction of the threshold load of dislocation emission in silicon during nanoscratching

来源 :2013中国力学大会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mingliqq
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This paper establishes an analytical model to predict the normal threshold load that causes the emission of partial dislocations in silicon during nanoscratching.In the modeling,the deformation mechanisms and the sequence of microstructural changes already explored by experiment and molecular dynamics will be exactly followed;that is,with increasing the normal load of nanoscratching,phase transformation first takes place,followed by a partial dislocation emission from the interface between the phase transformed zone and the original crystalline silicon when the scratching load reaches its threshold.
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