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利用金刚石顶砧技术及能散X射线衍射方法，研究了高压颗粒尺寸为30nm的3C-SiC。纳米3C-SiC在44.3GPa压力范围内保持稳定，并给出其晶体结构参数与对应的粗晶SiC高压下结果的比较。
高压下纳米SiC的结构稳定性研究
【摘 要】
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利用金刚石顶砧技术及能散X射线衍射方法，研究了高压颗粒尺寸为30nm的3C-SiC。纳米3C-SiC在44.3GPa压力范围内保持稳定，并给出其晶体结构参数与对应的粗晶SiC高压下结果的比较
【机 构】
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中国科学院物理研究所凝聚态物理中心
【出 处】
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第十届全国高压学术讨论会
【发表日期】
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1999年期
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