【摘 要】
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在真空中,将C膜淀积在n型和p型InP衬底上形成C固体/n-InP和C固体/p-InP两种接触,以及对它们的电学性质作了研究.结果表明它们均是良好的异质结,对于C/n-InP,势垒高度的典型值
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
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在真空中,将C<,60>膜淀积在n型和p型InP衬底上形成C<,60>固体/n-InP和C<,60>固体/p-InP两种接触,以及对它们的电学性质作了研究.结果表明它们均是良好的异质结,对于C<,60>/n-InP,势垒高度的典型值为0.698eV,在±1V偏压时,其整流比大于10<5>;对于C<,60>/p-InP,势垒高度典型值为0.719eV,以及在±2V偏压时,其整流比大于10<6>.深能级瞬态谱(DLTS)测量表明,C<,60>/InP界面上存在着与样品有关的电子陷阱,其密度不高,意味着C<,60>膜对InP表面有很好的钝化作用.
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