【摘 要】
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氮氧化硅(SiOxNy)作为减反射膜,可以兼备氮化硅(SiNx)的减反效果和二氧化硅(SiO2)的钝化效果.本文在工业型DIRECT-PECVD 上,通过优化各项工艺参数,使得氮氧化硅薄膜减反、钝化效果达到最优.通过红外傅里叶分仪分析：发现随着氧含量减小,钝化效果先增大后减小,当折射率达到1.85 时,沉积薄膜前后少子寿命增益最大.通过与常规的单、双层氮化硅薄膜对比,发现：氮氧化硅具有最优的短波响
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
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氮氧化硅(SiOxNy)作为减反射膜,可以兼备氮化硅(SiNx)的减反效果和二氧化硅(SiO2)的钝化效果.本文在工业型DIRECT-PECVD 上,通过优化各项工艺参数,使得氮氧化硅薄膜减反、钝化效果达到最优.通过红外傅里叶分仪分析：发现随着氧含量减小,钝化效果先增大后减小,当折射率达到1.85 时,沉积薄膜前后少子寿命增益最大.通过与常规的单、双层氮化硅薄膜对比,发现：氮氧化硅具有最优的短波响应.同时,氮氧化硅的电池转换效率较双层氮化硅电池提升0.19％.
其他文献
铸造准单晶硅中的位错,在晶体生长过程中是不可避免的.研究发现,铸造准单晶硅中的位错存在分散式的位错和位错聚集体两种形态.其中,少量分散式的位错对准单晶硅的少子寿命以及电池性能的不利影响较小.但这种不利影响会随着位错密度的增大而增大.位错聚集体是一种极其有害的缺陷,它会大幅降低材料的电学性能,并严重降低电池效率.因此,铸造准单晶硅中的位错缺陷应该得到有效控制,从而减小其对太阳电池性能的影响.
针对晶体硅太阳电池缺陷的检测问题,利用多种测试设备(EL、PL、Corescan等),在电池制作的主要工序段(扩散、镀膜、印刷、烧结)对硅片和电池片进行检测,归纳和总结了电池的各种典型缺陷的成因,利用这些检测手段和分析结果,能够及时有效地反馈生产过程中产生的缺陷类型,有利于生产工艺的改进和质量的控制.
本文采用铝诱导晶化的方法,在普通浮法玻璃上制备得到了(111)择优取向的多晶硅薄膜.文章中提出了光学照片与拉曼扫描结合的多晶硅薄膜晶化率计算方法.解决了由于铝诱导晶化硅薄膜过程中不同区域晶化率差异,导致总晶化率统计上困难的问题.针对我们的研究结果,进一步探讨了非晶硅晶化中出现的形核与生长机理和模型.我们认为,Si 的形核发生在Al/Si 界面并在周围形成Si 耗尽区,由此也阻止了新形核的出现.
本文用自组装微球做膜板,通过反应离子刻蚀(RIE)技术,在晶硅衬底上制备了大小均一、排布高度有序的纳米棒阵列,获得了反射率较低的表面.采用热丝化学气相沉积(HWCVD)工艺,在纳米棒阵列上制备了径向结构的pn 结.扫描电镜图像显示,非晶薄膜硅和透明导电膜层都实现了良好的保角覆盖.通过拟合暗I-V 曲线,分析了原子H 预处理对不同结构衬底钝化的影响.
N 型晶体硅片表面的钝化层是高效HIT 太阳电池的关键技术所在.本研究在优化的a-Si:H 薄膜钝化的基础上,进一步探索a-SiOx:H 薄膜对N 型晶体硅片表面的钝化效果的改进.采用4*4cm2的N 型cz-Si 片(厚度150mm,体少子寿命约1~2ms)为衬底,PECVD 法,SiH4作Si 源,CO2 作O 源,H2 作载气,研究CO2：SiH4 流量比、沉积气压等对晶体硅片表面的钝化效果
本文报告一种生产现场提供的类单晶硅片中的亚晶粒和亚晶界结构的分析研究结果.采用的分析技术包括位错刻蚀与显微观察、X射线双晶衍射和扫描电镜背散射电子分析(EBSD).分析结果显示：亚晶粒尺寸为3～6 mm, 亚晶界对位错刻蚀十分敏感,为密排位错列组成, 亚晶粒内部同时也存在与普通多晶硅锭中平均密度相当的位错；亚晶粒之间相互取向差别为轴的旋转位向差,故能够保证(001)面特有的金字塔型碱腐蚀制绒效果.
为了降低多晶硅太阳电池背表面少子复合速率,提高少子寿命,采用了多晶硅太阳电池双面钝化结构.实验采用SiO2/SiNx 叠层膜作为双面钝化膜,通过丝网印刷的方法形成背面局部接触.经过快速热处理,少子寿命有明显的提升.实验结果显示多晶硅太阳电池双面钝化后少子寿命为387μs,开路电压为698mV.制成电池后开路电压为636mV,转换效率也比常规铝背场多晶硅太阳电池高.结果表明,双面钝化有效降低了多晶硅
利用反应离子刻蚀(RIE)技术,可实现晶体硅太阳能电池的亚微米绒面,本文介绍了在多晶硅预制绒基片上进行等离子强化制绒形成亚微米绒面,得到的硅片表面具有优良的陷光效果,硅片表面平均反射率在9％左右,淀积SiNx 减反射膜后,反射率能够降到4％左右.但在等离子强化制绒过程中,由于等离子轰击所产生的表面损伤降低了电池短波段的内量子效率(IQE),实验研究发现,通过加强淀积SiNx 减反射膜过程中的氢钝化
现今的大规模太阳电池生产领域,P 型衬底占了绝大部分的市场份额,而N 型硅衬底由于其高少子寿命和无光致衰减越来越受关注.本论文以N 型的铝背发射极电池为基础,分析了P、N型刻蚀过程中的差异情况.在实验中发现,在相同情况下,P 型衬底和N 型衬底在经过磷扩散分别形成PN 结和N+前面场后,去除磷硅玻璃,进行硝酸/氢氟酸的单面刻蚀,N 型衬底的减薄质量平均比P 型的减薄质量高出0.05 g 左右；同时
目前,采用PECVD 法沉积的氮化硅薄膜被广泛应用于晶体硅太阳能电池的制造工艺中.由于单层氮化硅膜的减反效果不够理想,本文首先通过软件对三层氮化硅膜进行模拟,选取合适的厚度及折射率配比降低硅片表面反射率.然后采用直接式(direct-plasma)PECVD 设备沉积了三层氮化硅膜进行验证,同时在不同膜层沉积间隙中增加氨气处理,使得氮化硅膜具有更好的钝化效果.通过激光椭偏仪、光谱分析仪、红外傅里叶