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陶瓷表面有机物污染对速调管输出窗击穿阈值的影响
陶瓷表面有机物污染对速调管输出窗击穿阈值的影响
来源 :中国电子学会真空电子学分会第十七届学术年会暨军用微波管研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:piaobozaiwai
【摘 要】
:
本文通过对实验过程中炸裂的S波段盒型输出窗观察和X射线光电子能谱(XPS)检测,结合软件对窗内电场分布模拟,探讨高平均功率输出窗电击穿的物理原因。结果表明,窗片表面沉积的有
【作 者】
:
朱方[1]张兆传[2]罗积润[2]
【机 构】
:
中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室 北京 100190 中国科学院研究生院 北京 100049
【出 处】
:
中国电子学会真空电子学分会第十七届学术年会暨军用微波管研讨会
【发表日期】
:
2009年期
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本文通过对实验过程中炸裂的S波段盒型输出窗观察和X射线光电子能谱(XPS)检测,结合软件对窗内电场分布模拟,探讨高平均功率输出窗电击穿的物理原因。结果表明,窗片表面沉积的有机物含量越高,窗体发生炸裂时的平均输出功率越低。窗表面的有机污染物可能降低陶瓷窗的耐受电压和平均功率承受能力。
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