【摘 要】
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软磁薄膜在高频范围内广泛应用于各种微磁器件,通常希望材料具有高磁导率μ,高饱和磁化强度Ms,低矫顽力Hc,同时具有高的各向异性场Hk 以提高材料的共振频率.因此,软磁薄膜的面内Hk 是一个关键参数,如何使软磁薄膜具有面内各向异性以及如何调制Hk,成为当今科学研究的一个热点,但同时得到高的共振频率fr、大的Ms 和电阻率ρ 仍然是一种挑战.因此非常有必要开发一种有效的方法,在不降低薄膜的饱和磁化强度
【机 构】
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钢铁研究总院功能材料研究所;先进金属磁性材料及制备技术北京市工程实验室
【出 处】
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第十六届全国磁学和磁性材料会议暨第十七届全国微波磁学会议
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软磁薄膜在高频范围内广泛应用于各种微磁器件,通常希望材料具有高磁导率μ,高饱和磁化强度Ms,低矫顽力Hc,同时具有高的各向异性场Hk 以提高材料的共振频率.因此,软磁薄膜的面内Hk 是一个关键参数,如何使软磁薄膜具有面内各向异性以及如何调制Hk,成为当今科学研究的一个热点,但同时得到高的共振频率fr、大的Ms 和电阻率ρ 仍然是一种挑战.因此非常有必要开发一种有效的方法,在不降低薄膜的饱和磁化强度的前提下,调整Hk 获取高的共振频率.
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