掺杂法制备低电阻率SiC纤维的研究

来源 :第四届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：menghuilong

【摘要】

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本文通过采用将聚二甲基硅烷(PDMS)与聚氟乙烯(PVC)共裂解合成碳化硅-碳纤维先驱体,并经熔融纺丝及不熔化处理,最后经过烧成制得SiC-C陶瓷纤维,电阻率小于10Ω.cm.相对照,通

【作者】

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冯春祥刘军宋永才

【机构】

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国防科技大学502室(湖南长沙)

【出处】

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第四届中国功能材料及其应用学术会议

【发表日期】

：

2001年期

【关键词】

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掺杂法制低电阻率陶瓷纤维聚二甲基硅烷共裂解不熔化处理熔融纺丝聚碳硅烷聚氯乙烯聚氟乙烯含量增加先驱体碳纤维碳化硅中碳烧成合成

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本文通过采用将聚二甲基硅烷(PDMS)与聚氟乙烯(PVC)共裂解合成碳化硅-碳纤维先驱体,并经熔融纺丝及不熔化处理,最后经过烧成制得SiC-C陶瓷纤维,电阻率小于10<0>Ω.cm.相对照,通过聚碳硅烷制得的SiC纤维为10<6>Ω.cm,纤维的强度随纤维中碳含量增加而下降.结果表明能够从聚二甲基硅烷与聚氯乙烯共裂解出发制备低电阻率的SiC纤维.

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