毫米波InAlNGaN HEMT电学特性退化机制分析

来源 :2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ancdtang

【摘要】

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在SiC衬底上制作了栅长200hm的InAlN/GaN HEMT器件,其最大源漏输出电流为500mA/mm,电流增益截止频率fT和功率增益截止频率fmax分别为66GHz和150GHz.并深入分析了欧姆接触和异

【作者】

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严慧杜江锋尹成功黄思霓敦少博徐鹏冯志红于奇

【机构】

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电子科技大学微电子与固体电子学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054专用集成电路国家级重点实验室石家庄050051

【出处】

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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

【发表日期】

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2013年7期

【关键词】

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高电子迁移率晶体管电学特性退化机制氮化镓氮化铝铟

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在SiC衬底上制作了栅长200hm的InAlN/GaN HEMT器件,其最大源漏输出电流为500mA/mm,电流增益截止频率fT和功率增益截止频率fmax分别为66GHz和150GHz.并深入分析了欧姆接触和异质结界面粗糙度散射等因素对器件电学性能的影响机制,通过实验数据和仿真结果对比分析发现,器件的比欧姆接触电阻率pc(约7.72×10-3Ω·cm2)较大引起导通电阻增加会明显降低器件电学性能;同时异质结界面粗糙度散射会使沟道中平均电子迁移率减小,亦是导致器件的电学特性退化的重要原因.

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