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该文用磁控溅射方法研究了全铌隧道结dc SQUID的制备。根据铌结的SteWart-McCumber参量βc选择确定结的并联电阻，消除了结的回滞，并联电阻后的1-V曲线很好的符合RSJ模型。为了获得大的磁通电压调制幅度，设计了较小的SQUID环孔,环孔电感为L～25pH。由此制备的SQUID具有传输函数～1.4mV/Φ<,0>。其本征能量分辨率达～24h。