【摘 要】
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本文对氮化H-O合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究,将H-O合成和氮氧化栅两种技术结合起来,充分利用两者的优点制成三层结构的Sandwich栅,对比了常规氧化、H-O合成氧化和氮化H-O合成氧化三种方式及不同退火条件得出:氮化H-O合成氧化方法抗辐照性能最佳、采用硅化物工艺+快速热退火是未来抗辐照工艺发展的趋势;并对氮化H-O合成栅的抗辐照机理进行了研究.
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
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本文对氮化H<,2>-O<,2>合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究,将H<,2>-O<,2>合成和氮氧化栅两种技术结合起来,充分利用两者的优点制成三层结构的Sandwich栅,对比了常规氧化、H<,2>-O<,2>合成氧化和氮化H<,2>-O<,2>合成氧化三种方式及不同退火条件得出:氮化H<,2>-O<,2>合成氧化方法抗辐照性能最佳、采用硅化物工艺+快速热退火是未来抗辐照工艺发展的趋势;并对氮化H<,2>-O<,2>合成栅的抗辐照机理进行了研究.
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