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Enhanced optical power and low forward voltage of GaN-based light-emitting diodes with Al-doped ZnO
【机 构】
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State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-sen University, Guangzhou
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
【发表日期】
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2012年9期
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