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黑硅技术指在晶硅材料上制备纳米级陷光结构，使其具备卓越减反射性能，提升其电流及电池性能。目前，黑硅技术仍未能产业化，方法研究中主要有RIE法和MCCE(metal-catalyzed chemical etching)法作产业化考虑，但RIE法依赖于更昂贵的设备，需要高投入成本；而常规MCCE法需要复杂的后道清洗工艺，也会增大成本投入。