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基于MOSFET的高精度恒流源防干扰设计
基于MOSFET的高精度恒流源防干扰设计
来源 :中国核学会2011年年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:guanjuntpplgj
【摘 要】
:
本文针对基于MOSFET的高精度恒流源,从干扰源、传播路径等方面分析了系统内可能对恒流源造成影响的各种因素,提出解决办法并使用PSpice数值模拟的方法进行了分析,得到了较好
【作 者】
:
秦玲
赖青贵
王华岑
王有利
【机 构】
:
中同工程物理研究院流体物理研究所,四川绵阳,621900
【出 处】
:
中国核学会2011年年会
【发表日期】
:
2011年期
【关键词】
:
MOSFET
高精度恒流源
数值模拟
适应能力
解决办法
分析
电路设计
传播路径
系统内
稳定性
干扰源
PSpice
设备
结果
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本文针对基于MOSFET的高精度恒流源,从干扰源、传播路径等方面分析了系统内可能对恒流源造成影响的各种因素,提出解决办法并使用PSpice数值模拟的方法进行了分析,得到了较好的结果,在电路设计中提高了恒流源设备的稳定性和适应能力.
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