磁控溅射ZAO薄膜工艺参数对其性能的影响

来源 :第12届全国高技术陶瓷学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Devgame
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利用中频交流磁控溅射方法采用氧化锌铝(98﹪ZnO+2﹪Al<,2>O<,3>)陶瓷靶材制备了ZAO(ZnO:Al)薄膜,考察了基体温度和工作气压对ZAO薄膜的晶体结构、电学和光学性能的影响,利用X射线衍射仪和原子力显微镜对薄膜的结构和形貌进行了分析,利用分光光度计和电阻测试仪测量了薄膜的光学、电学特性,利用霍尔测试仪测量了薄膜的载流子浓度和霍尔迁移率.结果表明:沉积薄膜时的基体温度和工作气压对薄膜的结构、结晶状况、可见光透过率以及导电性有较大的影响.当基体温度为250℃,氩气分压为0.8Pa时,薄膜的电阻率最低,为4.6×10<-4>Ω·cm,方块电阻为32Ω时,可见光(γ=550nm)透过率高达91.8﹪.
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