【摘 要】
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本文用第一原理赝势方法计算和研究了掺杂Ti对Al∑9晶界的影响,所处理的超晶胞由4个[110]原子层组成,包含84个原子.超晶胞在晶界面上沿[-1-14]方向定义为3√2/2a0,沿[110]方
【机 构】
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北京航空航天大学,理学院,北京,100083
【出 处】
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2005年全国材料科学与工程学术会议
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本文用第一原理赝势方法计算和研究了掺杂Ti对Al∑9晶界的影响,所处理的超晶胞由4个[110]原子层组成,包含84个原子.超晶胞在晶界面上沿[-1-14]方向定义为3√2/2a0,沿[110]方向为√2a0,其中a0是Al的晶格常数.为了保持三维周期性,在[2-21]方向引入了两个对称的晶界,如图1所示.我们利用Troullier-Martins方案构造了Ti的赝势,根据Kerker混合方案,由共轭梯度法计算了电子基态密度.首先,我们计算了纯Al晶界的驰豫原子结构,然后把位于晶界的4个Al原子置换为Ti原子(如图1中用半填充球标出的原子位置),再进行驰豫计算,直到作用在每个原子上的Hellman-Feynman力均小于0.5eV/nm。
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